环亚ag88,环亚娱乐手机下载,www.ag88.com,环亚国际ag8806

加入收藏在线咨询
位置:主页 > 产品案例 >

硅基氮化镓在大功率LED的研制及产业化环亚ag88

作者:环亚ag88时间:2018-10-09 09:15浏览:

  硅基氮化镓在大功率LED的研制及产业化

  6月10日,在广州举办的2013年LED外延芯片技能及设备资料最新趋势专场中,晶能光电硅衬底LED研制副总裁孙钱博士向与会者做了题为硅衬底氮化镓大功率LED的研制及工业化的陈述,与同行一道共享了硅衬底大功率LED研制及工业化和大尺度硅衬底LED技能的最新发展。

  在讲演中,孙钱博士讲到现在很重要的就是寻求高性价比的LED。从外延的第一步开端来看衬底,蓝宝石衬底占了10%的商场,技能老练并且现在是商场的干流,但蓝宝石衬底有散热的问题,尺度很难做到8-12寸,价格也比较贵,P面电流扩展差,对我国的LED工业开展也有许多实际的问题。

  而硅衬底有一些优势,资料廉价,环亚ag88,散热系数好;难点就是有很高的缺点密度,下降LED的光度。学术界期望把硅和氮化镓整合在一起,但是有困难,首要困难是镓与硅之间的大晶格失配。因为很高的缺点密度,54%的热膨胀系数,外延膜在降温过程中发生裂纹。金属架直接与硅衬底结束时会有化学回融反响。

  氮化镓和硅整合在一起很困难,前面做了许多作业,比方硅衬底外表刻槽,氮化镓超晶格缓冲层,这些能够完成无裂纹,这是根本可行的道路。晶格失配17%,这个会影响资料的功能,现在出产到4微米氮化镓没有裂纹,晶体质量与蓝宝石平片衬底上的外延,硅上垫外延片弯曲度小于10微米。

  硅衬底是簇新的导体,它是会吸收阳光分子,咱们能够使用化学腐蚀掉,假如薄膜只要几微米,咱们就做金属触摸反射。

  出产的数据,这是片内的波长规范偏差规范为1.3nm,波长规模为4nm微米。硅衬底氮化镓基LED外延片的翘曲度很小,2英寸硅衬底LED大多数在4-5微米左右,6英寸在10微米以下。

  2英寸硅衬底大功率LED量产硅4545芯片,平行裸芯光强500lm/W,反向漏电小于0.1uA,平行电压3V,大多数波长在5nm内。硅衬底做LED廉价,并且物美,硅衬底大功率LED功能研制发展,2012年6月,2寸硅到达110lm/W,2013年1月到达140lm为/W。

  硅芯片和蓝宝石的差异,蓝宝石是通明衬底,硅衬笔直结构,白光出光均匀,简单配二次光学。硅衬底氮化镓基LED直接白光芯片,荧光粉直涂白光芯片散布会集。

  下一步怎么做呢?是进步功能和下降价值。硅衬底倒装波LED芯片,功率会更高、工艺会更好。6英寸硅衬底上氮化镓基大功率LED研制,有望下降成本50%以上。

  现在已开宣布6寸硅衬底氮化镓基LED的外延及先进工艺技能,光效到达125lm/w,处理了限制裂纹和质量的问题,确保没有漏电的问题。笔直结构LED芯片技能,在350mA下,45和55mil的硅衬底LED芯片别离到达140lm/w和150lm/W。

  

   LEDLED照明LED芯片

电话:
传真:
邮编:
地址:环亚娱乐手机下载设计公司

Copyright © 2013 环亚ag88,环亚娱乐手机下载,www.ag88.com,环亚国际ag8806 All Rights Reserved 网站地图顶部 ↑